Mới đây, blogger Digital Chat Station, người chuyên đăng tải các tin đồn rò rỉ, đã chia sẻ thông tin mới nhất về một mẫu điện thoại tầm trung sắp ra mắt - realme GT Neo6 SE.
Theo blogger này, realme GT Neo6 SE sẽ được trang bị vi xử lý Snapdragon 7+ Gen 3, đi kèm viên pin lớn 5500mAh và màn hình độ phân giải 1.5K. Điểm nhấn đáng chú ý là sự xuất hiện của công nghệ LTPO, một tính năng thường thấy trên các dòng flagship. Công nghệ này cho phép màn hình của máy có thể tự động điều chỉnh tần số quét dựa trên nội dung được hiển thị trên màn hình, từ đó giúp điện thoại tiết kiệm pin hơn. Theo blogger, công nghệ này hứa hẹn mang lại thời lượng pin vượt trội, được đánh giá là "tốt nhất trong phân khúc".
Trước đó, blogger cũng từng tiết lộ rằng dòng realme GT Neo6 SE sẽ sở hữu "pin khủng với sạc nhanh 100W" đi kèm mức giá cực kỳ dễ tiếp cận. Nếu thông tin này chính xác, sự kết hợp giữa cấu hình mạnh mẽ và giá cả phải chăng sẽ khiến cho chiếc điện thoại này trở nên rất đáng mong đợi.
Dựa trên thông số của realme GT Neo5 SE (được trang bị vi xử lý Snapdragon 7+ Gen 2, pin 5500mAh hỗ trợ sạc nhanh 100W), người dùng có thể kỳ vọng hiệu năng được cải thiện và thời lượng pin được kéo dài hơn trên phiên bản kế nhiệm.
Ngoài ra, blogger cũng tiết lộ thông tin về vi xử lý Snapdragon 8s Gen 3. So với Snapdragon 8 Gen 3, Snapdragon 8s Gen 3 được cho là có hiệu năng mạnh mẽ hơn, tiết kiệm điện năng hơn và đi kèm với GPU Adreno 735 giúp nâng tầm khả năng xử lý đồ hoạ.